Транзистор КТ639 p-n-p.Характеристики.Цоколевка.

Кремниевый p-n-p транзистор.Высоковольтный,высокочастотный,средней мощности.Планарно-эпитаксиальный,пластмассовый корпус.
Ток коллектора-1.5А  в импульсе-2А
Напряжение коллектор-эмиттер и коллектор-база:
кт639а,б,в-45В
кт639и-30В
кт639г,д-60В
кт639е,ж-100В
Напряжение эмиттер-база  5В
Мощность коллектора-1Вт
h21э:
кт639а,г,е-40-100
кт639б,д,ж-63-160
кт639в-100-250
кт639и-180-400
Обратный ток коллектора-0.1мкА
Обратный ток эмиттера-0.1мкА
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте-4
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер-0.5В
Напряжение насыщения база-эмиттер-1.25В
Емкость коллекторного перехода-50пФ
Емкость эмиттерного перехода не менее 90 и не более 200пФ
Ток базы-0.2А
Граничная частота-80МГц