Полевой транзистор КП364.

Эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с диффузионным затвором и каналом n-типа.Применяются в малошумящих усилителях и в схемах зарядочувствительных предусилителей.КП364Е,Д-во входных каскадах усилителей высокой частоты.КП364В,Ж,И,А,Б-для низких частот с высоким входным сопротивлением.КП364Г-в зарядочувствительных усилителях.Корпус-ТО-92.
Напряжение сток-исток-25В
Напряжение затвор-исток-30В
Напряжение затвор-сток-30В
Ток стока-20мА
Ток затвора-5мА
Рассеиваемая мощность при температуре 25C-200мВт
Коэффициент шума при частоте 100МГц,напряжении сток-исток 10В- 4дБ(КП364Д,КП364Е).
Крутизна характеристики от 1 до 7мА/В.

На корпусе, в передней части большая зеленая точка-КП364.
 
Сверху,белая точка-КП364Е.

Комментариев нет:

Отправить комментарий

Страницы