Составной транзистор КТ829.Расположение выводов и даташит

Транзисторы кремниевые,меза-планарные n-p-n составные,универсальные,низкочастотные,мощные.Предназначены для работы в усилителях низкой частоты,ключевых схемах.Выпускаются в пластмассовых корпусах.Масса не более 2г.

Напряжение к-э:

кт829а-100В

кт829б-80В

кт829в-60В

кт829г-45В

Напряжение база-эмиттер -5В

Ток коллектора-8А

Импульсный ток коллектора -12А

Граничная частота-4МГц

Мощность коллектора-60Вт

Граничное напряжение при Iк=100мА не менее:

кт829а-100В

кт829б-80В

кт829в-60В

кт829г-45В

Напряжение насыщения кэ при Iк=3.5А и Iб=14мА не более 2В

Напряжение насыщения бэ при Iк=3.5А,Iб=14мА не более 2.5В

Статический коэф.передачи тока с общим эмиттером не менее 750.

Модуль коэф.передачи тока при f=10МГц не менее 0.4

Обратный ток к-э не более 3мА